Samsung разработали первую DDR4 память

Samsung, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявила, что завершила разработку первого DDR4 DRAM, используя 30 нанометровый класс.

"Samsung активно поддерживают IT индустрию. Мы используем только экологически чистые продукты, и получаем высокую производительность.", - сказал Dong Soo Jun, из Samsung.

Новый модуль DDR4 может достичь скорости передачи данных 2,133 Гбитсекунд на 1,2 V. При использовании на ноутбуке, он снижает энергопотребление на 40% по сравнению с 1.5V DDR3 модулем.

Модуль использует Псевдо Открытый Коллектор (Pseudo Open Drai), новая технология разработанная и адаптированная для высокопроизводительный. DDR4 употребляет половину электричества при чтении и записи данных, по сравнению с DDR3.

Первые модули поступят в продаже в начале 2012 года.